Descripción
MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para satisfacer y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
mosfet infineon
El MOSFET de canal N de montaje superficial Infineon TO-252-3 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 5,3mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 90A. Tiene una tensión máxima de fuente de compuerta de 20V y una tensión de fuente de drenaje de 80V. Tiene una máxima disipación de potencia de 150W. El MOSFET tiene una tensión de conducción mínima y máxima de 6V y 10V respectivamente. Se ha optimizado para disminuir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET aborda las aplicaciones más difíciles, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Está diseñado para satisfacer y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de los estándares de regulación de tensión de última generación más definidos en aplicaciones informáticas. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• refrigeración de doble cara
• Excelente carga de compuerta x producto R DS (ON) (FOM)
• Libre de halógenos
• placas libres De Plomo (Pb)
• inductancia parasitaria baja
• Perfil bajo (< 0, 7mm)
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• Tecnología Optimizada para convertidores dc-dc
• resistencia térmica superior
• muy baja resistencia
Aplicaciones
• CA-CC
• Adaptador
• DC-DC
• LED
• Control de motor
• Alimentación del PC
• fuentes de alimentación del servidor
• SMPS
• Solar
• Telecomunicaciones
Certificaciones
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 90 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-252 |
| Serie | OptiMOS™ 3 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 9,5 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Longitud | 6.73mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 52 nC a 10 V |
| Ancho | 7.36mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 2.41mm |
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