Descripción
El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 en un encapsulado TO 252 DPAK dispone de RDS(on) de 2.000 mOhm que conduce a bajas pérdidas de conmutación. Un diodo de cuerpo rápido implementado asegura un dispositivo robusto y, a su vez, reduce la factura de material para el cliente. Además, nuestra oferta de encapsulado SMD líder del sector contribuye a ahorrar espacio en PCB y simplifica la fabricación. Esta familia de productos está diseñada para una densidad de potencia muy alta, así como para diseños de máxima eficiencia. Los productos se refieren principalmente a cargadores de densidad ultraalta, adaptadores y accionamientos de motor de baja potencia.
Amplia gama de valores RDS(on)
Excelente resistencia de conmutación
EMI baja
Amplia cartera de paquetes
Reducción de costes BOM y fabricación sencilla
Robustez y fiabilidad
Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para adaptar el diseño
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4,5 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO 252-3 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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