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MOSFET Infineon IPD50R950CEAUMA1, VDSS 550 V, ID 6,6 , PG-TO 252

MOSFET Infineon IPD50R950CEAUMA1, VDSS 550 V, ID 6,6 A, PG-TO 252

El precio original era: 675,00 €.El precio actual es: 128,25 €.
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MOSFET Infineon IPD60N10S412ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 A, PG-TO252-3-313

El precio original era: 1.275,00 €.El precio actual es: 191,25 €.
MOSFET Infineon IPD60N10S412ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 , PG-TO252-3-313
MOSFET Infineon IPD60N10S412ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 , PG-TO252-3-313

MOSFET Infineon IPD60N10S412ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 A, PG-TO252-3-313

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MOSFET Infineon IPD60N10S412ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 A, PG-TO252-3-313

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Semiconductores Discretos Infineon TO252 de 60 A con 100 V. ✓ ESR ultra bajo inferior a 0. ✓ Conforme RoHS y REACH. ✓ Bajo coeficiente de temperatura NP0/C0G.

SKU: esrs-40612 Categorías: , , Marca:

Descripción

El transistor de potencia OptiMOS-T2 de Infineon es un modo de mejora de nivel normal de canal P. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Certificación AEC
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V
Tipo de Encapsulado PG-TO252-3-313
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPD60N10S412ATMA1

Presentación

1 paquete de 2 unidades

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