Descripción
El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.
No se necesita bomba de carga para accionamiento de lado alto
Circuito de controlador de interfaz sencilla
Capacidad de corriente más alta
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 120 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO263-3-2 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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