MOSFET Infineon IPW65R050CFD7AXKSA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO247-3

Name: MOSFET Infineon IPW65R050CFD7AXKSA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO247-3 - Teknoycondensa
SKU: esrs-40751
Price: 3.04 EUR
Availability: InStock

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Semiconductores Discretos Infineon TO247 de 211 A con 650 V. ✓ Bajo coeficiente de temperatura NP0/C0G. ✓ Certificación AEC-Q200 automotriz. ✓ Libre de halógenos.

SKU: esrs-40751 Categorías: Industria y Ciencia, MOSFET, Semiconductores Discretos Marca: Infineon

Descripción

El MOSFET de potencia SJ de automoción de canal N CoolMOS CFD7A de Infineon en encapsulado TO-247 forma parte de la familia de productos CFD7A de MOSFET de potencia SJ de 650 V CoolMOS de automoción. En comparación con la generación anterior, CoolMOS CFD7A ofrece una mayor fiabilidad y densidad de potencia al tiempo que aumenta la flexibilidad de diseño.
Mejores de eficiencia en topologías de conmutación rígida y suave hasta un 98,4 %
Diodo de cuerpo rápido intrínseco con un 30% de Qrr inferior en comparación con CoolMOS CFDA
Escalable como se ha diseñado para utilizar en la etapa PFC y dc-dc
Cartera granular disponible

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje	211 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	PG-TO247-3
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante