Descripción
La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Corriente nominal alta
Capacidad de refrigeración de doble cara
Baja altura del encapsulado de 0,7 mm
Factor de forma compacto
Alta eficiencia
Respetuoso con el medio ambiente
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 32 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | MG-WDSON-5 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.