Descripción
El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 5 de 80 V, especialmente diseñado para rectificación síncrona para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, el dispositivo también se puede usar en otras aplicaciones industriales como accionamientos solares, de baja tensión y adaptadores. En siete encapsulados diferentes, los MOSFET OptiMOS 5 de 80 V ofrecen el RDS(on) más bajo del sector. Además, en comparación con la generación anterior, OptiMOS 5 80 V tiene una reducción de RDS(on) de hasta un 43%.
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Reducción de capacitancia de salida de hasta un 44 %
Eficiencia del sistema más alta
Pérdidas de conmutación y conducción reducidas
Menos paralelismo necesario
Mayor densidad de potencia
Desviación de tensión baja
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 120 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TDSON |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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