Descripción
Transistores dobles NPN/PNP de tensión de saturación baja, Nexperia
Una gama de transistores dobles NPN/PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Transistores bipolares, Nexperia
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | NPN/PNP |
| Corriente DC Máxima del Colector | 1 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | TSOP |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Disipación de Potencia Máxima | 700 mW |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 250 |
| Configuración de transistor | Aislado |
| Tensión Base Máxima del Colector | 80 V |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 5 V |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 220 MHz |
| Conteo de Pines | 6 |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
| Dimensiones | 1 x 3.1 x 1.7mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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