Descripción
Memoria Flash serie de 16 Mbits con sectores de 4 KB uniformes y SPI doble/cuádruple
Sectores borrables de 4 KB uniformes y bloques borrables de 32 KB/64 KB
8.192 páginas (256 bytes), programa de páginas en 0,4 mS (típ.)
Lectura continua con envoltura de 8/16/32/64 bytes
Funcionamiento de reloj hasta 133 MHz (266/532 MHz equivalente con SPI doble/cuádruple)
Fuente de alimentación de 2,7 a 3,6 V
Corriente de lectura activa de 2 mA, corriente de desconexión de <1 μA
Rango de funcionamiento de -40° a +85 °C
Suspensión/reanudación de borrado/programación, bit de estado suspendido
Identificador único programado en fábrica
ID electrónico con SPI doble/cuádruple, protección contra escritura de hardware y software para bloques superiores o inferiores
Bits de registro de estado volátil y no volátil
Protección bloqueable y OTP
Parámetros detectables de Flash serie (SFDP)
3 registros de seguridad de 256 bytes con bloqueos de OTP
Bit de protección de matriz de complemento
Protección contra escritura de sector/bloque individual
Contacto de restablecimiento/hardware configurable y restablecimiento de software
Resistencia de controlador de salida programable
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 16Mbit |
| Tipo de Interfaz | Serial |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Conteo de Pines | 8 |
| Organización | 2M x 8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Célula | NI |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
| Organización de Bloques | Simétrico |
| Longitud | 4mm |
| Altura | 1.5mm |
| Ancho | 5mm |
| Dimensiones | 5 x 4 x 1.5mm |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |
| Serie | W25Q |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 6ns |
| Número de Palabras | 2M |
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