Descripción
La etapa de potencia OptiMOS de Infineon es una etapa de potencia integrada que contiene un IC de controlador de puerta reductor síncrono de baja corriente de reposo que está equipado con MOSFET de control y síncrono junto con una estructura de diodo activo que alcanza un Vsd bajo similar a un Schottky con muy poca carga de recuperación inversa. El encapsulado está optimizado para diseño de PCB, transferencia de calor, temporización de control de MOSFET/driver y sonido de nodo de interruptor mínimo cuando se siguen las directrices de diseño. La combinación de controlador de puerta emparejado y MOSFET permite una mayor eficiencia a tensiones de salida más bajas. La detección de MOSFET interna logra una precisión de detección de corriente superior frente a los mejores métodos de detección DCR de inductor basados en controlador de su clase.
Detección de cortocircuito y señal de MOSFET de lado alto
Desconexión térmica
Protección contra sobrecorriente y señal de fallo ciclo por ciclo
Modo de hibernación automática y hibernación profunda para ahorrar energía
Compatible con entrada PWM de tristato de 3,3 V
Informes de corriente precisos para optimizar el rendimiento a nivel del sistema
Control de fallos de corriente y temperatura para un sistema más robusto
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente de Salida | 20 A |
| Tensión de Alimentación | 4.25V |
| Conteo de Pines | 25 |
| Tipo de Encapsulado | PQFN |
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