Descripción
Convertidores dc-dc de alta eficiencia
Reguladores de tensión de conmutación
Conmutación de alta velocidad
Carga de puerta pequeña: QSW = 16 nC (típ.)
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 1,0 mΩ (típ) (VGS = 4,5 V)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 30 V)
Modo de mejora: Vth = 1,3 a 2,3 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 300 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | DSOP |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,3 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.3V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.3V |
| Disipación de Potencia Máxima | 142 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 5mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 74 nC a 10 V |
| Longitud | 5mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 0.73mm |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.