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MOSFET Toshiba TK100S04N1L, VDSS 40 V, ID 100 , DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET Toshiba TK100S04N1L, VDSS 40 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET Toshiba TK65S04N1L, VDSS 40 V, ID 65 , DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET Toshiba TK65S04N1L, VDSS 40 V, ID 65 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

El precio original era: 5,30 €.El precio actual es: 2,65 €.

MOSFET Toshiba TK65S04N1L, VDSS 40 V, ID 65 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

El precio original era: 5,30 €.El precio actual es: 2,65 €.

Semiconductores Discretos de 65 A con 40 V. ✓ Tensión de ruptura garantizada. ✓ ESR ultra bajo inferior a 0. ✓ Libre de halógenos.

SKU: esrs-47966 Categorías: , , Marca:

Descripción

Aplicaciones
Automoción
Controladores para motor
Reguladores de tensión de conmutación
Características
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 3,3 mΩ (típ)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 40 V)
Modo de mejora: Vth = 1,5 a 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 4,3 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima 1.5V
Disipación de Potencia Máxima 107 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V
Ancho 7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Número de Elementos por Chip 1
Carga Típica de Puerta @ Vgs 39 nC a 10 V
Longitud 6.5mm
Tensión de diodo directa 1.2V
Altura 2.3mm
Estándar de automoción AEC-Q101

Información adicional

Marca

Toshiba

Ref. fabricante

TK65S04N1L

Presentación

1 paquete de 10 unidades

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