Descripción
El 60V de on Semiconductor de MOSFET de potencia utiliza 267A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Tiene menos ruido de conmutación/EMI y minimiza las pérdidas de conducción.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 267 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Serie | NTBGS1D |
| Tipo de Encapsulado | TO-263-7 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 7 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,00155 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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