Descripción
MOSFET de canal P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al usar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para sostener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 340 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Serie | PowerTrench |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 6 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 10 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 960 mW |
| Configuración de transistor | Aislado |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
| Ancho | 1.7mm |
| Longitud | 3mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 1,6 nC a 10 V |
| Material del transistor | Si |
| Altura | 1mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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