Descripción
Nuevas familias de productos de 40 V y 60 V que disponen del R DS(on) más bajo del sector y que también ofrecen un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. 15 % menos de R DS(on) y 31 % menos de factor de mérito (R DS(on) x Q g) comparado con dispositivos alternativos. Esto se obtiene con una tecnología de oblea delgada avanzada. Las nuevas familias de productos de 40 V y 60 V disponen no solo del R DS(on) más bajo del sector sino que también ofrecen un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. 15 % menos de R DS(on) y 31 % menos de factor de mérito (R DS(on) x Q g) comparado con dispositivos alternativos. Esto se obtiene con una tecnología de oblea delgada avanzada.
Optimizado para rectificación síncrona
15 % menos de R DS(on) que los dispositivos alternativos
31 % de mejora de FOM con respecto a dispositivos similares
Diodo similar a Schottky integrado
Libre de halógenos
Ventajas:
Eficiencia del sistema más alta
Requiere menos conexión en paralelo
Mayor densidad de potencia
Reducción de costes del sistema
Sobreimpulso de tensión muy baja
Aplicaciones de destino:
Rectificación síncrona
Micro inversor solar
Convertidores dc-dc aislados
Control de motor
Interruptores OR-ing
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 100 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo de Encapsulado | TDSON |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,9 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 96 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 61 nC a 10 V |
| Longitud | 5.15mm |
| Ancho | 6.15mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 1.1mm |
| Tensión de diodo directa | 1V |
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