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MOSFET Infineon IPB80R290C3AATMA2, VDSS 800 V, ID 17 , PG-TO263-3-2

MOSFET Infineon IPB80R290C3AATMA2, VDSS 800 V, ID 17 A, PG-TO263-3-2

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MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO263

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MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 , PG-TO263
MOSFET Infineon IPB80R290C3AATMA2, VDSS 800 V, ID 17 , PG-TO263-3-2

MOSFET Infineon IPB80R290C3AATMA2, VDSS 800 V, ID 17 A, PG-TO263-3-2

El precio original era: 2.300,00 €.El precio actual es: 565,00 €.

MOSFET Infineon IPB80R290C3AATMA2, VDSS 800 V, ID 17 A, PG-TO263-3-2

El precio original era: 2.300,00 €.El precio actual es: 565,00 €.

Semiconductores Discretos Infineon TO263 de 17 A con 800 V. ✓ Capacitancia estable en frecuencia. ✓ Libre de halógenos. ✓ Certificación AEC-Q200 automotriz.

SKU: esrs-40583 Categorías: , , Marca:

Descripción

La tecnología CoolMOS C3A de Infineon se ha diseñado para cumplir las crecientes demandas de mayores tensiones del sistema en el área de vehículos eléctricos, como PHEV y BEV.
Mejor calidad y fiabilidad de su clase
Tensión de ruptura superior
Capacidad de corriente de pico alta

Atributo Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 800 V
Tipo de Encapsulado PG-TO263-3-2
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPB80R290C3AATMA2

Presentación

1 bobina de 1000 unidades

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