Anterior
MOSFET Infineon IPD068P03L3GATMA1, VDSS 30 V, ID 70 , PG-TO252

MOSFET Infineon IPD068P03L3GATMA1, VDSS 30 V, ID 70 A, PG-TO252

4,25 
Siguiente

MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 59 A, PG-TO252-3

2,90 
MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 59 , PG-TO252-3
MOSFET Infineon IPD12CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 67 , PG-TO252-3

MOSFET Infineon IPD12CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 67 A, PG-TO252-3

El precio original era: 1.650,00 €.El precio actual es: 247,50 €.

MOSFET Infineon IPD12CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 67 A, PG-TO252-3

El precio original era: 1.650,00 €.El precio actual es: 247,50 €.

Semiconductores Discretos Infineon TO252 de 67 A con 100 V. ✓ Capacitancia estable en frecuencia. ✓ Bajo coeficiente de temperatura NP0/C0G. ✓ Tensión de ruptura garantizada.

SKU: esrs-40599 Categorías: , , Marca:

Descripción

Los MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en R DS (on) como en FOM
Excelente rendimiento de conmutación
R DS(on) más baja del mundo
Respetuoso con el medio ambiente
Mayor eficiencia
Densidad de potencia más alta

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 67 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V
Tipo de Encapsulado PG-TO252-3
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPD12CN10NGATMA1

Presentación

1 bobina de 2500 unidades

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Solo los usuarios registrados que hayan comprado este producto pueden hacer una valoración.

Carrito de la compra

0
image/svg+xml

No products in the cart.

Seguir comprando