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MOSFET Infineon IPD12CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 67 , PG-TO252-3

MOSFET Infineon IPD12CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 67 A, PG-TO252-3

El precio original era: 1.650,00 €.El precio actual es: 247,50 €.
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MOSFET Infineon IPD036N04LGATMA1, ID 90 A, PG-TO252-3

El precio original era: 8,30 €.El precio actual es: 4,15 €.
MOSFET Infineon IPD036N04LGATMA1, ID 90 , PG-TO252-3
MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 59 , PG-TO252-3

MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 59 A, PG-TO252-3

2,90 

MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 59 A, PG-TO252-3

2,90 

Semiconductores Discretos Infineon de 59 A con 100 V. ✓ Tensión de ruptura garantizada. ✓ Conforme RoHS y REACH. ✓ Trazabilidad completa de lote.

SKU: esrs-40600 Categorías: , , Marca:

Descripción

Los MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en R DS (on) como en FOM.
Excelente rendimiento de conmutación
Menos paralelismo necesario
Consumo de espacio en placa más bajo
Productos sencilloes de planear

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V
Tipo de Encapsulado PG-TO252-3
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPD122N10N3GATMA1

Presentación

1 paquete de 2 unidades

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