MOSFET Infineon IPD50P03P4L11ATMA2, VDSS 30 V, ID 50 A, PG-TO252-3-11

Name: MOSFET Infineon IPD50P03P4L11ATMA2, VDSS 30 V, ID 50 A, PG-TO252-3-11 - Teknoycondensa
SKU: esrs-40607
Price: 153.00 EUR
Availability: InStock

El precio original era: 900,00 €.El precio actual es: 153,00 €.

Semiconductores Discretos Infineon TO252 de 50 A con 30 V. ✓ Corriente de fuga inferior a 0. ✓ Libre de halógenos. ✓ Capacitancia estable en frecuencia.

SKU: esrs-40607 Categorías: Industria y Ciencia, MOSFET, Semiconductores Discretos Marca: Infineon

Descripción

El transistor de potencia OptiMOS-2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.
Circuito de controlador de interfaz sencilla
RDSon más bajo del mundo a 40 V
Capacidad de corriente más alta

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PG-TO252-3-11
Tipo de Montaje	Montaje superficial