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MOSFET Infineon IPD50P03P4L11ATMA2, VDSS 30 V, ID 50 , PG-TO252-3-11

MOSFET Infineon IPD50P03P4L11ATMA2, VDSS 30 V, ID 50 A, PG-TO252-3-11

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MOSFET Infineon IPD35N12S3L24ATMA1, VDSS 120 V, ID 35 , PG-TO252-3-11

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2,95 

MOSFET Infineon IPD35N12S3L24ATMA1, VDSS 120 V, ID 35 A, PG-TO252-3-11

2,95 

Semiconductores Discretos Infineon TO252 de 35 A con 120 V. ✓ Trazabilidad completa de lote. ✓ Conforme RoHS y REACH. ✓ Certificación AEC-Q200 automotriz.

SKU: esrs-40608 Categorías: , , Marca:

Descripción

El transistor de potencia OptiMOS-T de Infineon es un MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Canal N – Modo de mejora
Certificación AEC Q101 de automoción
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 120 V
Tipo de Encapsulado PG-TO252-3-11
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPD35N12S3L24ATMA1

Presentación

1 paquete de 5 unidades

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