Descripción
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión, velocidad de conmutación rápida y mejor calificación de avalancha repetitiva. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para utilizar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzada
Resistencia de conexión muy baja
Unidad de puerta de nivel lógico
Temperatura de funcionamiento de 150 °C
Conmutación rápida
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | SOT-223 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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