Descripción
Los MOSFET de potencia Infineon HEXFET de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para utilizar en una amplia variedad de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación de montaje en superficie capaz de alojar tamaños de matriz de hasta HEX-4. Proporciona la capacidad de potencia más alta y la resistencia de conexión más baja posible en cualquier encapsulado de montaje en superficie existente. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje en superficie típica.
Tecnología de procesos avanzada
Montaje en superficie
Orificio pasante de perfil bajo
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Valor nominal de avalancha total
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 64 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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