Descripción
MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 6,2 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Serie | SQ Rugged |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 52 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 6 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Ancho | 4mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 25 nC a 10 V |
| Longitud | 5mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 1.55mm |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.