Descripción
MOSFET de canal N, 30 V, Diodes Inc
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5,1 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-346 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 50 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,3 W, 780 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 13,2 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Longitud | 3.1mm |
| Ancho | 1.7mm |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 1.3mm |
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