Descripción
STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado con tecnología MDmesh M2. Gracias a su diseño de tira y a una estructura vertical mejorada, el dispositivo muestra baja resistencia de conexión y características de conmutación optimizadas, lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
Carga de puerta extremadamente baja
Excelente perfil de capacitancia de salida (Coss)
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5,5 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 25 V |
| Serie | STN6N60M2 |
| Tipo de Encapsulado | SOT-223 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,25 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.