Descripción
The Dual NPN PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-363/SC-88 package, which is designed for low power surface mount applications.
Pb-Free Package is Available
S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | NPN/PNP |
| Corriente DC Máxima del Colector | 200 mA |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 45 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-363 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Disipación de Potencia Máxima | 380 mW |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 200 |
| Tensión Base Máxima del Colector | 50 V |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 6 V |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 100 MHz |
| Conteo de Pines | 6 |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
| Dimensiones | 2.2 x 1.35 x 1mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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