Descripción
The MC14049B Hex Inverter/Buffer and MC14050B Noninverting Hex Buffer are constructed with MOS P-Channel and N-Channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS devices find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. These devices provide logic level conversion using only one supply voltage, VDD. The input-signal high level (VIH) can exceed the VDD supply voltage for logic level conversions. Two TTL/DTL loads can be driven when the devices are used as a CMOS-to-TTL/DTL converter (VDD = 5.0 V, VOL = 3.2 mA).
High Source and Sink Currents
High-to-Low Level Converter
Supply Voltage Range = 3.0 V to 18 V
Improved ESD Protection On All Inputs
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Función Lógica | Búfer/inversor hexagonal |
| Tipo de Entrada | Terminación Única |
| Tipo de Salida | Terminación Única |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo | 140ns |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Conteo de Pines | 16 |
| Dimensiones | 10 x 4 x 1.5mm |
| Altura | 1.5mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 18 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Ancho | 4mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +125 °C |
| Longitud | 10mm |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 3 V |
| Condición de Prueba de Retardo de Propagación | 50pF |
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