Descripción
Diodos de barrera Schottky, 200mA a 500mA
Alta eficacia
Encapsulados de montaje superficial ultrapequeños de perfil bajo
Optimizados para caída de tensión directa baja y alta temperatura de empalme
Baja capacitancia
Pérdidas de potencia por conmutación insignificantes
Corriente de fugas baja
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | I-IGIA |
| Corriente Continua Máxima Directa | 200mA |
| Tensión Repetitiva Inversa de Pico | 30V |
| Configuración de diodo | Simple |
| Tipo de Rectificador | Diodo Schottky |
| Tipo de Diodo | Schottky |
| Conteo de Pines | 2 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tecnología de diodo | Diodo Schottky |
| Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico | 1A |
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