Descripción
El IGBT de STMicroelectronics desarrollado con una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja propia. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.
Temperatura de unión máxima TJ = 17ºC
5 μs de tiempo de resistencia a cortocircuitos
VCE(sat) = 2,1 V (típ.) a IC = 75 A
Distribución de parámetros ajustada
Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación muy rápida
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 150 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 750 W |
| Tipo de Encapsulado | Max247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
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