Descripción
La memoria flash serie de Microchip se ha mejorado con una frecuencia de funcionamiento mejorada para un menor consumo de potencia. La memoria flash serie SPI SST25VF080B se fabrica con la tecnología de superflash CMOS de alto rendimiento y propiedad de SST. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de túneles de óxido grueso logran una mayor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con enfoques alternativos. Este dispositivo mejora significativamente el rendimiento y la fiabilidad, al tiempo que reduce el consumo de potencia.
Operaciones de lectura y escritura de tensión única: 2,7-3,6 V
Compatible con reloj SPI de 50 MHz
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Retención de datos superior a 100 años
Corriente de borrado y programa: 30 mA (máx.)
Corriente de lectura activa: 10 mA (típica)
Corriente en espera: 5 μA (típica)
Bloques de superposición uniformes de 32 Kbytes y 64 Kbytes
Tiempo de borrado del chip: 35 ms (típico)
Todos los dispositivos son conformes con RoHS
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 8Mbit |
| Tipo de Interfaz | SPI |
| Tipo de Encapsulado | SOIJ |
| Conteo de Pines | 8 |
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