Descripción
Controladores IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alta tensión de Infineon con canales de salida con referencia de lado alto y lado bajo independientes. Las tecnologías CMOS a prueba de bloqueo y HVIC patentadas permiten una construcción monolítica resistente. Las entradas lógicas son compatibles con la salida CMOS o LSTTL estándar, hasta la lógica de 3,3 V. Los controladores de salida disponen de una etapa de búfer de corriente de impulso alta diseñada para una conducción transversal mínima del controlador. Los retrasos de propagación se combinan para facilitar el uso en aplicaciones de alta frecuencia. El canal flotante se puede usar para accionar un MOSFET de potencia de canal N o IGBT en la configuración de lado alto que funciona hasta 500 V o 600 V.
Rango de alimentación de accionamiento de puerta de 10 V a 20 V
Bloqueo de subtensión para ambos canales
Compatible con lógica de 3,3 V
Rango de alimentación lógica independiente de 3,3 V a 20 V
Lógica y alimentación a tierra ± 5 V de offset
Entradas activadas por Schmitt CMOS con retracción
Lógica de desconexión activada por borde de ciclo a ciclo
Retardo de propagación correspondiente para ambos canales
Salidas en fase con entradas
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Logic Type | CMOS, LSTTL |
| Tipo de Encapsulado | SOIC 16 W |











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