Descripción
La etapa de potencia OptiMOS de Infineon es una etapa de potencia integrada que contiene un IC de controlador de puerta reductor síncrono de baja corriente de reposo que está equipado con MOSFET de control y síncrono junto con una estructura de diodo activo que alcanza un Vsd bajo similar a un Schottky con muy poca carga de recuperación inversa. El encapsulado está optimizado para diseño de PCB, transferencia de calor, temporización de control de MOSFET/driver y sonido de nodo de interruptor mínimo cuando se siguen las directrices de diseño. La combinación de controlador de puerta emparejado y MOSFET permite una mayor eficiencia a tensiones de salida más bajas. La detección de MOSFET interna logra una precisión de detección de corriente superior frente a los mejores métodos de detección DCR de inductor basados en controlador de su clase.
Detección de corriente e informes de MOSFET en chip con ganancia de 5 μA/A
Protección contra sobretemperatura y desconexión térmica
Protección contra sobrecorriente y bandera ciclo por ciclo
Detección de cortocircuito y señal de MOSFET de lado alto
Recarga automática en condensador bootstrap
Compatible con entrada PWM de tristato de 3,3 V
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente de Salida | 35 A |
| Tensión de Alimentación | 4.25 → 5.5V |
| Conteo de Pines | 25 |
| Tipo de Encapsulado | PG-IQFN-25 |
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