Descripción
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 160 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | Línea E |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 14 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 625 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 2.41mm |
| Longitud | 4.77mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Material del transistor | Si |
| Altura | 4.01mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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