Descripción
OptiMOS™ 5 80 V, la última generación de Infineon de MOSFET de potencia, está especialmente diseñado para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones. Además, estos dispositivos se pueden usar también en otras aplicaciones industriales como energía solar, accionamientos de baja tensión y adaptadores. Dentro de los siete encapsulados diferentes, los nuevos MOSFET OptiMOS™ 5 80 V ofrecen el R DS(on) más bajo del sector
Optimizado para rectificación síncrona
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Reducción de capacitancia de salida hasta un 44 %
Reducción de R DS(on) hasta el 44 %
Ventajas:
Eficiencia del sistema más alta
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Requiere menos conexión en paralelo
Mayor densidad de potencia
Sobreimpulso de baja tensión
Aplicaciones de destino:
Telecom
Servidor
Cargador
Accionamientos de baja tensión
Vehículos eléctricos ligeros
Adaptador
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 100 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V |
| Tipo de Encapsulado | TDSON |
| Serie | OptiMOS™ 5 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5,7 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.8V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 104 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Ancho | 6.35mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 43 nC a 10 V |
| Longitud | 5.49mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Altura | 1.1mm |
| Tensión de diodo directa | 1.1V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.