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MOSFET Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 , TDSON de 8 pines, , config. Simple

MOSFET Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

El precio original era: 13,30 €.El precio actual es: 6,65 €.

MOSFET Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

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Semiconductores Discretos Infineon de 3 A con 200 V. ✓ Conforme RoHS y REACH. ✓ Capacitancia estable en frecuencia. ✓ Tensión de ruptura garantizada.

SKU: esrs-38153 Categorías: , , Marca:

Descripción

Los productos OptiMOS Infineon BSC12DN20NS3 G 200V son tecnologías de referencia líderes en rendimiento, perfectamente adecuadas para rectificación síncrona en sistemas 48V, convertidores dc-dc, fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI) e inversores para accionamientos de motor dc.
Más alta eficacia
Máxima densidad de potencia
Consumo de espacio en placa más bajo
Requiere mínima conexión en paralelo de dispositivos
Mejora de costes del sistema

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 11,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 200 V
Serie OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado TDSON
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 125 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 4V
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Disipación de Potencia Máxima 50 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente 20 V
Número de Elementos por Chip 1
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs 6,5 nC a 10 V
Ancho 6.35mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Tensión de diodo directa 1.2V
Altura 1.1mm

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

BSC12DN20NS3GATMA1

Presentación

1 paquete de 10 unidades

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