Descripción
El transistor de potencia de modo de mejora Infineon 600V ofrece una velocidad de encendido y apagado rápida, pérdidas de conmutación mínimas y permite topologías de medio puente sencillas con la máxima eficiencia. La serie CoolGaN 600V de nitruro de galio está calificada conforme a una cualificación completa adaptada a GaN muy por encima de los estándares existentes. Mejora la eficiencia del sistema, mejora la densidad de potencia y permite una mayor frecuencia de funcionamiento.
Conmutación ultrarrápida
Sin cargo por recuperación inversa
Capaz de conducción inversa
Carga de puerta baja, carga de salida baja
Resistencia de conmutación superior
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 10 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
| Tipo de Encapsulado | LSON-8 |
| Serie | CoolGaN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,19 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1.6V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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