Descripción
El MOSFET SiC CoolSiC de 1.200 V y 60 mΩ de Infineon en encapsulado TO247-4 se basa en un proceso de semiconductor de trinchera de última generación optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET SiC ofrece una serie de ventajas. Estos incluyen, los niveles de carga de puerta y capacitancia de dispositivo más bajos observados en interruptores de 1.200 V, ninguna pérdida de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interno, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y característica de estado encendido sin umbral. Los MOSFET CoolSiC son ideales para topologías de conmutación rígida y resonante como circuitos de corrección de factor de potencia, topologías bidireccionales y convertidores dc-dc o inversores dc-ac.
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con calificación para conmutación rígida
Pérdidas de conmutación de desconexión independientes de la temperatura
Eficiencia más alta
Esfuerzo de refrigeración reducido
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-4 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.