Descripción
OptiMOS™ 5 100V, la última generación de Infineon de MOSFET de potencia, está especialmente diseñado para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones. Además, estos dispositivos se pueden usar también en otras aplicaciones industriales como energía solar, accionamientos de baja tensión y adaptadores. Dentro de los siete encapsulados diferentes, los nuevos MOSFET OptiMOS™ 5 100V ofrecen el R DS(on) más bajo del sector.
Optimizado para rectificación síncrona
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Reducción de capacitancia de salida hasta un 44 %
Reducción de R DS(on) hasta el 43 % con respecto a la generación anterior
Ventajas:
Eficiencia del sistema más alta
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Requiere menos conexión en paralelo
Mayor densidad de potencia
Sobreimpulso de baja tensión
Aplicaciones de destino:
Telecom
Servidor
Cargador
Accionamientos de baja tensión
Vehículos eléctricos ligeros
Adaptador
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 176 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Serie | OptiMOS™ 5 |
| Tipo de Encapsulado | TO 263 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2,5 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.8V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 375 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Longitud | 10.31mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 168 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Ancho | 11.05mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 4.57mm |
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