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MOSFET Infineon IPB024N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 166 , PG-TO263-3

MOSFET Infineon IPB024N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 166 A, PG-TO263-3

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Cable de prueba Hirschmann, Macho-Macho, 6A, 60V dc, 50cm | 973595100

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Cable de prueba Hirschmann, Macho-Macho, 6A, 60V dc, 50cm | 973595100 Hirschmann Test & Measurement
MOSFET Infineon IPB024N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 166 , PG-TO263-3

MOSFET Infineon IPB024N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 166 A, PG-TO263-3

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MOSFET Infineon IPB024N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 166 A, PG-TO263-3

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Semiconductores Discretos Infineon de 166 A con 80 V. ✓ Tensión de ruptura garantizada. ✓ Capacitancia estable en frecuencia. ✓ Corriente de fuga inferior a 0.

SKU: esrs-40650 Categorías: , , Marca:

Descripción

El MOSFET de potencia industrial Infineon OptiMOS 5 de 80 V ofrece una reducción de RDS(on) del 43 % en comparación con las generaciones anteriores y es ideal para altas frecuencias de conmutación. Los dispositivos de esta familia están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, también se pueden usar en otras aplicaciones industriales como accionamientos solares, de baja tensión y adaptadores.
Optimizado para rectificación síncrona
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Menos paralelismo necesario
Mayor densidad de potencia

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 166 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 80 V
Tipo de Encapsulado PG-TO263-3
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPB024N08N5ATMA1

Presentación

1 unidad

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