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MOSFET Infineon IPB060N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 136 , PG-TO263-7

MOSFET Infineon IPB060N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 136 A, PG-TO263-7

El precio original era: 4.460,00 €.El precio actual es: 677,00 €.
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MOSFET Infineon IPB120P04P404ATMA2, VDSS 40 V, ID 120 A, PG-TO263-3-2

El precio original era: 92,00 €.El precio actual es: 41,40 €.
MOSFET Infineon IPB120P04P404ATMA2, VDSS 40 V, ID 120 , PG-TO263-3-2
MOSFET Infineon IPB156N22NFDATMA1, VDSS 220 V, ID 72 , PG-TO 263-3

MOSFET Infineon IPB156N22NFDATMA1, VDSS 220 V, ID 72 A, PG-TO 263-3

El precio original era: 4.700,00 €.El precio actual es: 738,00 €.

MOSFET Infineon IPB156N22NFDATMA1, VDSS 220 V, ID 72 A, PG-TO 263-3

El precio original era: 4.700,00 €.El precio actual es: 738,00 €.

Semiconductores Discretos Infineon de 72 A con 220 V. ✓ Tensión de ruptura garantizada. ✓ Bajo coeficiente de temperatura NP0/C0G. ✓ Libre de halógenos.

SKU: esrs-40659 Categorías: , , Marca:

Descripción

El diodo rápido OptiMOS de Infineon en 200 V, 220 V, 250 V y 300 V está optimizado para la conmutación rígida del diodo del cuerpo. Los dispositivos son la opción perfecta para aplicaciones de conmutación rígida como telecomunicaciones, fuentes de alimentación industriales, amplificadores de audio de clase D, control de motor e inversor dc-ac.
Robustez de conmutación dura mejorada
Comportamiento de conmutación rígida optimizado
Máxima fiabilidad del sistema
Reducción de costes del sistema

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 220 V
Tipo de Encapsulado PG-TO 263-3
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPB156N22NFDATMA1

Presentación

1 bobina de 1000 unidades

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