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MOSFET Infineon IPB180P04P403ATMA2, VDSS 40 V, ID 180 , PG-TO263-7-3
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MOSFET Infineon IPB180N10S403ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, PG-TO263-7-3

El precio original era: 2.310,00 €.El precio actual es: 493,00 €.

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El precio original era: 2.310,00 €.El precio actual es: 493,00 €.

Semiconductores Discretos Infineon de 180 A con 100 V. ✓ Conforme RoHS y REACH. ✓ Libre de halógenos. ✓ Trazabilidad completa de lote.

SKU: esrs-40434 Categorías: , , Marca:

Descripción

El transistor de potencia OptiMOS-T2 de Infineon es un modo de mejora de nivel normal de canal N. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Certificación AEC
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V
Tipo de Encapsulado PG-TO263-7-3
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPB180N10S403ATMA1

Presentación

1 bobina de 1000 unidades

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