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Borne para PCB Phoenix Contact, paso 3.81mm, 13.5A, de color Negro, montaje Montaje en orificio pasante, terminación | 1822477

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MOSFET Infineon IPB64N25S320ATMA1, VDSS 250 V, ID 64 , D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET Infineon IPB64N25S320ATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

El precio original era: 6,11 €.El precio actual es: 3,06 €.

MOSFET Infineon IPB64N25S320ATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Semiconductores Discretos Infineon de 64 A con 250 V. ✓ ESR ultra bajo inferior a 0. ✓ Conforme RoHS y REACH. ✓ Certificación AEC-Q200 automotriz.

SKU: esrs-38150 Categorías: , , Marca:

Descripción

Resumen de las funciones:
Canal N – Modo de mejora
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico
Ventajas:
bajo nivel de RDS (on) en tecnología Trench: hasta 19,3 mOhm
capacidad de corriente más alta de 64 A
bajas pérdidas de potencia de conducción y conmutación para alta eficiencia térmica
encapsulados robustos de fiabilidad y calidad superior
carga de compuerta total optimizada que permite etapas de salida de controlador más pequeñas
Aplicaciones de destino:
Inversor híbrido
dc/dc
Inyección piezoeléctrica

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 250 V
Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263)
Serie OptiMOS™-T
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 20 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 4V
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Disipación de Potencia Máxima 300 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente 20 V
Longitud 10mm
Ancho 10.25mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Número de Elementos por Chip 1
Carga Típica de Puerta @ Vgs 67 nC a 10 V
Tensión de diodo directa 1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Altura 4.4mm

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPB64N25S320ATMA1

Presentación

1 paquete de 5 unidades

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