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MOSFET Infineon IPB80P04P4L04ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, PG-TO263-3-2

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Semiconductores Discretos Infineon TO263 de 80 A con 40 V. ✓ Libre de halógenos. ✓ Tensión de ruptura garantizada. ✓ Capacitancia estable en frecuencia.

SKU: esrs-40591 Categorías: , , Marca:

Descripción

El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon es un modo de mejora de nivel lógico de canal P. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Certificación AEC
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Atributo Valor
Tipo de Canal P
Corriente Máxima Continua de Drenaje 80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V
Tipo de Encapsulado PG-TO263-3-2
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPB80P04P4L06ATMA2

Presentación

1 bobina de 1000 unidades

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