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MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 , PG-TO263

MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO263

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MOSFET Infineon IPB80P04P4L08ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, PG-TO263-3-2

El precio original era: 680,00 €.El precio actual es: 129,20 €.
MOSFET Infineon IPB80P04P4L08ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 , PG-TO263-3-2
MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 , PG-TO263

MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO263

El precio original era: 3.860,00 €.El precio actual es: 553,00 €.

MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO263

El precio original era: 3.860,00 €.El precio actual es: 553,00 €.

Semiconductores Discretos Infineon TO263 de 211 A con 650 V. ✓ Conforme RoHS y REACH. ✓ Capacitancia estable en frecuencia. ✓ Certificación AEC-Q200 automotriz.

SKU: esrs-40585 Categorías: , , Marca:

Descripción

La tecnología CoolMOS C3A de Infineon se ha diseñado para cumplir las crecientes demandas de mayores tensiones del sistema en el área de vehículos eléctricos, como PHEV y BEV.
Mejor calidad y fiabilidad de su clase
Tensión de ruptura superior
Capacidad de corriente de pico alta

Atributo Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje 211 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 650 V
Tipo de Encapsulado PG-TO263
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPBE65R050CFD7AATMA1

Presentación

1 bobina de 1000 unidades

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