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MOSFET Infineon IPD220N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 30 , PG-TO252

MOSFET Infineon IPD220N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 30 A, PG-TO252

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MOSFET Infineon IPD068P03L3GATMA1, VDSS 30 V, ID 70 , PG-TO252
MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 59 , PG-TO252-3

MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 59 A, PG-TO252-3

El precio original era: 1.825,00 €.El precio actual es: 273,75 €.

MOSFET Infineon IPD122N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 59 A, PG-TO252-3

El precio original era: 1.825,00 €.El precio actual es: 273,75 €.

Semiconductores Discretos Infineon de 59 A con 100 V. ✓ Certificación AEC-Q200 automotriz. ✓ ESR ultra bajo inferior a 0. ✓ Tensión de ruptura garantizada.

SKU: esrs-40597 Categorías: , , Marca:

Descripción

Los MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en R DS (on) como en FOM.
Excelente rendimiento de conmutación
Menos paralelismo necesario
Consumo de espacio en placa más bajo
Productos sencilloes de planear

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V
Tipo de Encapsulado PG-TO252-3
Tipo de Montaje Montaje superficial

Información adicional

Marca

Infineon

Ref. fabricante

IPD122N10N3GATMA1

Presentación

1 bobina de 2500 unidades

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