Descripción
El Infineon IPD200N15N3 G es 150V OptiMOS logra una reducción en R DS(on) del 40% y del 45% en la cifra de mérito (FOM) en comparación con el siguiente mejor competidor. Esta drástica mejora abre nuevas posibilidades como alterar de encapsulados con cable a encapsulados SMD o reemplazar dos piezas antiguas con una pieza OptiMOS.
Excelente rendimiento de conmutación
R DS(on) más bajo del mundo
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 50 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Serie | OptiMOS™ 3 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 20 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 9.45mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Longitud | 10.36mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 23 nC a 10 V |
| Altura | 4.57mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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