MOSFET Infineon IPD50P04P4L11ATMA2, VDSS 40 V, ID 50 A, PG-TO252-3-313

Name: MOSFET Infineon IPD50P04P4L11ATMA2, VDSS 40 V, ID 50 A, PG-TO252-3-313 - Teknoycondensa
SKU: esrs-40616
Price: 36.90 EUR
Availability: InStock

El precio original era: 82,00 €.El precio actual es: 36,90 €.

Semiconductores Discretos Infineon TO252 de 50 A con 40 V. ✓ Bajo coeficiente de temperatura NP0/C0G. ✓ Corriente de fuga inferior a 0.5µA. ✓ ESR ultra bajo inferior a 0.01Ω.

SKU: esrs-40616 Categorías: Industria y Ciencia, MOSFET, Semiconductores Discretos Marca: Infineon

Descripción

El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.
No se necesita bomba de carga para accionamiento de lado alto
Circuito de controlador de interfaz sencilla
Capacidad de corriente más alta

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	PG-TO252-3-313
Tipo de Montaje	Montaje superficial