Descripción
El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica y encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.
Canal P – Nivel lógico – Modo de mejora
Certificación AEC
Circuito de controlador de interfaz sencilla
RDSon más bajo del mundo a 40 V
Capacidad de corriente más alta
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 90 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO252-3-313 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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