Descripción
El MOSFET de superunión CoolMOS P7 de 600 V de Infineon es el sucesor de la serie CoolMOS P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia frente a la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la carga de puerta inherentemente baja de la plataforma CoolMOS de 7a generación garantizan su alta eficiencia.
Resistencia de puerta integrada RG
Diodo de cuerpo resistente
Amplio portafolio en encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante
Fácil de utilizar en entornos de fabricación al evitar que se produzcan fallos ESD
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 66 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO 220 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.