Descripción
El MOSFET de superunión Infineon CoolMOS CFD7 de 650 V en un encapsulado TO-220 es ideal para topologías de resonancia en aplicaciones industriales, como servidores, telecomunicaciones, estaciones de carga solar y EV, en las que permite mejoras significativas de eficiencia en comparación con la competencia. Como sucesor de la familia de MOSFET CFD2 SJ, se suministra con una carga de puerta reducida, un comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa reducida que permite la máxima eficiencia y densidad de potencia, así como una tensión de ruptura adicional de 50 V.
Diodo de cuerpo ultrarrápido y Qrr muy bajo
Tensión de ruptura de 650 V
Pérdidas de conmutación significativamente reducidas en comparación con la competencia
Excelente robustez de conmutación difícil
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Permite aumentar la densidad de potencia
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 211 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 700 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO220-3 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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